Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти / К. В. Егоров [и др.] //
Журнал прикладной химии. – 2016. – т.89,Вып.11. – С.1459-1464.
Место хранения: ЧЗГиЕН
Все авторы:
Егоров, К. В.
Кузмичев, Д. С.
Лебединский, Ю. Ю.
Маркеев, А. М.