Search Frame v1.2

  Версия для печати



Вернуться к списку 

Перв.  Пред.  33771-33780  33781  33782  33783  33784  33785  33786  33787  33788  33789  33790  33791-33800  След.  Послед. 

 Закономерности ионно-лучевой кристаллизации и свойства полупроводниковых наногетероструктур InAs-QD/GaAs(001) / С. Н. Чеботарев [и др.] //  Российские нанотехнологии. – 2016. – Т. 11, №7-8. – С. 51-57.


Место хранения: ЧЗГиЕН

Все авторы:
Чеботарев, С. Н. Пащенко, А. С. Лунин, Л. С. Ирха, В. А.

Ключевые слова:
кристаллизация ионно-лучевая  
наногетероструктуры полупроводниковые  
  
  
  
  
  
  
  
  


Еще статьи из этого номера

Перв.  Пред.  33771-33780  33781  33782  33783  33784  33785  33786  33787  33788  33789  33790  33791-33800  След.  Послед. 

 

НТБ КузГТУ 2010-2014