|
Search Frame v1.2
|
Версия для печати
Вернуться к списку
Атомно-слоевое осаждение оксида тантала с управляемым дефицитом кислорода для создания структур резистивной памяти / К. В. Егоров [и др.] //
Журнал прикладной химии. – 2016. – т.89,Вып.11. – С.1459-1464.
Еще статьи из этого номера
|
|
|
